如今，我国集成电路发展的新趋势愈加迅速，晶圆制造成为了不可或缺的一部分，而我国投入大量研发产业的就属晶圆代工。具体来说，晶圆代工就是在硅晶圆上制作电路与电子组件，这个步骤为整个半导体产业链中技术最复杂，且资金投入最多的领域。

　　以处理器为例，其所需处理步骤可达数百道，且各类加工机台先进又昂贵，动辄数千万美元起跳。而一个成熟的晶圆代工厂其设备投入占总设备比重在 70%～80% 之间。

　　从晶圆制造来看，主要工序流程可分为氧化光刻—刻蚀—抛光—离子植入—沉积—金属化—测试。

　　氧化：其目的是生成二氧化硅薄膜。用硅作为半导体原材料的主要的因素之一就是硅容易生长出二氧化硅膜层，这样在半导体上结合一层绝缘材料，就可用做掺杂阻挡层、表面绝缘层，及组件中的绝缘部分。

　　气化炉市场主要以国际大厂为主，如 Themco、Centrotherm Thermal Solutions 等。而中国也有北方华创供应相关设备，目前中芯、华力微电子、长江存储等厂商已采用。此外，中电科 48 所、青岛旭光等在氧化炉方面也取得重大进展。市场预估氧化炉今明两年中国需求共约 20 亿美元。

　　光刻：为整个晶圆代工流程中最重要的工序之一。其原理是在晶圆片表面覆盖一层具有高度光敏感性光阻剂，再用光线透过掩模照射在晶圆片表面，被光线照射到的光阻剂会发生反应，最终达到电路图的移转。

　　目前全球光刻机龙头为 ASML，此外，德国 SUSS、日本尼康、美国 Ultratech 等也具备较强实力。中国方面则有不少光刻机制造厂，如上海微电子、中电科 45 所、中电科 48 所等，但主要技术在 65nm～28nm 间，与国际大厂实力相差一大段。市场预估今明两年中国光刻机需求分别达 38 亿美元与 51 亿美元。

　　刻蚀：是通过光阻剂暴露区域来去掉晶圆最表层的工艺。大致上可以分为两大类：湿式刻蚀和干式刻蚀。简单区分，湿式刻蚀局限在 2 微米以上图形尺寸，而干式刻蚀则用在精细的先进电路中。

　　刻蚀机目前国际上主要的供货商为应用材料、Lam Research 等。中国方面技术有慢慢追上的趋势，即将登录科创板的中微半导体，其自主研发的 5nm 等离子体刻蚀机经台积电(2330-TW) 验证，将用于全球首条 5nm 制程生产线nm 技术有所突破。市场预估今明两年中国刻蚀机需求分别达 15 亿美元与 20 亿美元。

　　抛光：可以使晶圆表面达到全面性的平坦化，以利后续薄膜沉积工序。美国应用材料、Rtec 等均为国际上主要供货商，中国则有中电科装备、盛美半导体等。但陆厂的产品才刚打入 8 寸晶圆厂中，12 寸的相关设备还在研发，明显与国际大厂有实力上的差距。市场预计今明两年中国抛光机需求将达 3.77 亿美元与 5.11 亿美元。

　　离子植入：其是用来控制半导体中杂质量的关键程序，对半导体表面附近区域进行掺杂技术。优点是杂质量的精确控制，杂质分布的再重整，及低温下操作。

　　离子植入机主要的供厂商为 AMAT，中国部份只有中电科电子装备公司能供应。市场预计今明两年中国离子植入机需求可达 5 亿美元与 7 亿美元。

　　沉积：PVD 沉积为一种物理制程，此技术通常用氩等惰性气体，藉由在高真空中将氩离子以加速撞击溅镀靶材后，将靶材原子一个个溅击出来，使被溅击 出来的材质沉积在晶圆表面。

　　薄膜沉积设备主要的供货商包含应用材料、Vaportech、Lam Research、ASM、 Tokki 等。而中国相关设备制造厂有北方华创、沈阳拓荆等。北方华创是中国薄膜沉积设备龙头，目前技术已达到 14nm。市场预计今明两年中国薄膜沉积设备需求可达 15 亿美元与 20 亿美元。

　　测试：在晶圆完成制造之前，会有一道晶圆中测工序。在测试过程中，会检测每一个芯片的电路功能。

　　晶圆中测检测设备包括 CDSEM（扫描电镜）、AOI（自动光学检测机）等。中国在这领域只是起步阶段，该产业主要由国际大厂所把持，如 KLA-Tencor、应用材料、Hitachi、Rudolph、Camtek 等。

　　从上述可看出，各晶圆制造设备中以光刻机、刻蚀机和薄膜沉积设备的产值最大，生产难度也最高。除了刻蚀机，中微半导体顺利成为台积电供应名单的一员外，光刻机与薄膜沉积等等的半导体设备，中国厂技术离国际大厂还有一段差距，且短期仍不易追近。

　　据调研公司IC Insights在3月发表的2008年光电子、传感器和分立器件(O-S-D)报告，继半导体产业经历最严重的衰退七年之后，分立半导体终于即将全面从2001年的萧条中复苏，这是最后一个复苏的主要半导体市场领域。 由于功率晶体管稳步增长，以及电子技术的普遍应用，目前预计2008年分立产品销售额将增长7%，创出180亿美元的纪录新高。自2000年创出年度销售额最高纪录之后，该领域的销售额下降了1.14亿美元。上述报告数据显示，分立市场(包括二极管、小信号晶体管、整流器、半导体闸流管和功率晶体管)2007-2012年的复合年增率为6%，五年内达到230亿美元。自上世纪80年代以来，分立产品销售额一直以6%的复合

　　集微网消息，据外国媒体报道，东芝 以NAND Flash为主轴的内存业务将分拆出去成立一家新公司，且东芝计划出售新公司过半数股权，第一次招标的截止日期为3月29日，据悉来自台湾、美国、大陆以及南韩等约10阵营有意参与竞标。 不过，台/韩/陆厂甭抢了？ 传出因东芝半导体业务涉及国家安全，故为避免技术外流，日前传出日本公共资金将出手、目标吃下东芝半导体事业34%股权，最新又传出日/美阵营拟连手吃下东芝半导体业务。 产经新闻17日报导，东芝半导体业务将分拆出去成立新公司「东芝内存」，而因日本政府、经济界忧心东芝半导体技术外流、尤其是流向中国，故日本政策投资银行和日本官民基金「产业革新机构(INCJ)」据悉将携手共同对「东芝内存」进行出资，

　　2015下半年台湾半导体产业可望迎来两股成长动能。晶圆代工龙头台积电全力扩充16奈米产能，并加速推进10奈米制程；以及IC设计厂商抢搭新一代USB Type-C介面设计商机，在在都将带动台湾半导体产值向上攀升。 台湾半导体产业成长添新力。为巩固晶圆代工技术领头羊，台积电正全力冲刺下世代先进制程，其16奈米鳍式电晶体(FinFET)将于2015下半年放量，10奈米则将提前至2016年底量产，有助带动台湾半导体业产值翻扬。 与此同时，钰创、祥硕、创惟及威锋等IC设计厂商，可望搭上今年下半年PC产品转搭新型通用序列汇流排(USB)Type-C介面接口的热潮，为台湾半导体业挹注另一股成长动能。今年初，新型US

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　　据当地新闻媒体报道，独山中科晶元信息材料有限公司新型半导体材料生产项目正式点火投产，标志着独山新型材料产业发展迈出了关键的一步。 独山中科晶元信息材料有限公司是北京中科晶电集团在独山投资兴建的一家以新型半导体材料（砷化镓单晶）研发、生产和销售为主营的高科技企业，其系列新产品大多数都用在制作LD（激光器）、LED（发光二极管）、光电集成电路（OEIC）、 光伏器件、MESFET（金属半导体场效应管）、HEMT（高电子迁移率晶体管）、HBT（异质结双极晶体管）、IC、微波二极管、Hall器件等，是光电子和微电子工业领域最重要的支撑材料。 该项目于2016年11月落户独山经开区，计划总投资6000余万元，拟建设规模250台砷化镓晶体制备生产线。

　　英特尔AMD上演特洛伊战争 将公布反超线日发布全新Core微架构处理器之日，宣布“反超线程技术”；而AMD预计在7月24日宣布相似的Reverse-HyperThreading技术，以回击Conroe处理器的发布，目前而双方均对此低调不宣。这项技术尚未有正式的中文对译名称，一般被称作“反超线程”或“逆向超线程”技术。开启该技术后，双核处理器的两颗核心可以共同处理同一任务。 超线GHz的Pentium 4处理器全球同步发布，英特尔再次为处理器的发展历史书写下一个标志性词汇——超线程技术(Hyperthreading Technology)。超线程技术是华盛顿

　　据台《联合报》报道，台积电和三星在 3nm 制程的争夺战，始终吸引全球半导体产业的目光。 据调查，一度因开发时程延误的台积电 3nm 制程近期获得重大突破，延误曾导致苹果新一代处理器仍采用 5nm 加强版 N4P。 报道称，台积电决定今年率先量产第二版 3nm 制程 N3B，将于今年 8 月于新竹 12 厂研发中心第八期工厂及南科 18 厂 P5 厂同步投片，正式以鳍式场效晶体管（FinFET）架构，对决三星的环绕闸极（GAA）制程。 IT之家此前报道，有消息称，台积电的 3nm 制造工艺仍将在今年晚些时候投入生产。进入生产的变体被称为“N3B”，Digitims 预计初始产量将在每月 4 万至 5 万片之间。

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