苏州锴威特半导体股份有限公司主营业务为功率半导体的设计、研发和销售，并提供有关技术服务。公司坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展定位，基本的产品包含功率器件及功率 IC 两大类。在功率器件方面，公司产品以高压平面 MOSFET 为 主;在功率 IC 方面，公司专注于功率驱动 IC 和电源管理 IC。

　　中国上市公司网讯8月8日，苏州锴威特半导体股份有限公司(以下简称“锴威特”或公司)申购。公司的股票简称为“锴威特”，股票代码为“688693”，该简称和代码同时用于这次发行的网上网下

　　Suzhou Convert Semiconductor CO., LTD.

　　计算机、通信和其他电子设 备 制 造 业 （ 行 业 代 码 “C39”）

　　公司主营业务为功率半导体的设计、研发和销售，并提供有关技术服务。 公司坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展定位，基本的产品包含功率 器件及功率 IC 两大类。在功率器件方面，公司产品以高压平面 MOSFET 为 主，并在平面 MOSFET 工艺平台基础上设计研发了集成快恢复高压功率 MOSFET（FRMOS）系列新产品；在功率 IC 方面，公司专注于功率驱动 IC 和电 源管理 IC。此外，在第三代半导体方面，公司的 SiC 功率器件已小批量出货。

　　英飞凌成立于 1999 年，前身为西门子集团的半导体部门，已在德国法兰克 福交易所（股票代码：IFX）和美国柜台交易市场挂牌上市（股票代码： IFNNY），是全球领先的半导体公司。其专注于为汽车和工业功率器件、IC 卡 和安全应用提供半导体和系统解决方案，基本的产品包括功率半导体、嵌入式控 制器、射频器件与传感器、存储器等。

　　安森美于 1999 年从摩托罗拉中分拆，目前已在美国纳斯达克上市（股票代 码：ONNN），是一家宽频和电力管理集成电路和标准半导体供应商。安森美的 产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件，主要应用于汽车、通 信、计算机、消费电子、工业、LED 照明、医疗、军事、航空及电源应用等领 域。

　　东芝成立于 1875 年，已在东京证券交易所和名古屋证券交易所上市。东芝 是一家多元化的电气、电子制造商，是日本最大的半导体制造商和第二大综合 电机制造商。公司具有丰富的 MOSFET 研发及生产的经验，主要产品有 500V-800V 的高压 DTMOS 系列和 12V-250V 的低压 U-MOS 系列等。

　　意法半导体成立于 1987 年，已在纽约证券交易所、泛欧巴黎证券交易所和 意大利米兰证券交易所上市，是全球最大的半导体公司之一。意法半导体在分立器件、手机相机模块和车用集成电路领域居世界前列，产品主要使用在于汽车 产品、电脑周边设备、通讯系统、消费产品、工业自动化控制系统等领域。

　　瑞萨成立于 2003 年，已在东京证券交易所上市（股票代码：RNECF）。瑞 萨在半导体领域方面具有先进技术和丰富经验，产品包括集成电路和功率半导 体，其功率半导体产品主要包括 MOSFET、IGBT、功率集成电路、二极管、三 极管及晶闸管等。

　　力特成立于 1927 年，已在美国纳斯达克上市（股票代码：LFUS），是电路保护、电源控制和传感器领域技术领先的制造商。力特的产品系列包括保险丝、功率器件、传感器和保护继电器等，被广泛应用于汽车、工业、家电、医疗设备、消费电子等领域。

　　华润微成立于 2003 年，已在上交所科创板上市（股票代码：688396），为中国领先的拥有芯片设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化经营能力的半导体企业。其产品聚焦于功率半导体、智能传感器与智能控制领域。

　　士兰微成立于 1997 年，已在上交所主板上市（股票代码：600460），是以，IDM 模式为主的综合型半导体产品公司。其基本的产品包括 MOSFET、IGBT 等半导体分立器件、功率模块 IPM/PIM、MEMS 传感器和 LED 芯片等。

　　新洁能成立于 2013 年，已在上交所主板上市（股票代码：605111），为国内半导体功率器件设计龙头企业之一。其主营业务为 MOSFET 等分立器件的研发和销售，目前已经形成沟槽型功率 MOSFET、超结功率 MOSFET 两类主要产品系列，以及屏蔽栅沟槽型功率 MOSFET、绝缘栅双极型晶体管和功率模块等新产品系列

　　华微电子成立于 1999 年，已在上交所主板上市（股票代码：600360），主要从事功率半导体器件的设计研发、芯片制造、封装测试、销售等业务，主要生产半导体分立器件及 IC，应用于消费电子、节能照明、计算机、PC、汽车电

　　东微半导成立于 2008 年，已在上交所科创板上市（股票代码：688261），是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。其主要产品有 Tri-gate IGBT、超级硅 MOSFET、高压超级结 MOSFET、中低压屏蔽栅沟槽 MOSFET 等。