光刻胶是一种在特定光源照耀下发生部分溶解度改动的光敏资料，在集成电路制作中主 要用于光刻环节。进行光刻时，在硅片上涂改光刻胶，掩膜上印有预先设计好的电路图 案，光线透过掩膜照耀光刻胶，经显影液作用后光刻胶会在晶圆上构成与掩模版一起的 图形，再经蚀刻将掩模版上的图画搬运到晶圆上。

　　光刻胶是半导体制作要害资料。光刻是精密线路图形加工中最重要的工艺，决议着芯片 的最小特征尺度。一般半导体芯片在制作进程中需求进行 10-50 道光刻进程，占芯片制 造时刻的 40-50%，占制作本钱的 30%。光刻胶是光刻工艺中最重要的耗材，其质量和 功用与电子器材良品率、器材功用以及器材可靠性直接相关。依据 SEMI 数据，2021 年 光刻胶在全球晶圆制作资料商场中占比 6.1%。

　　复盘光刻胶标的走势，景气周期和自主可控共振。复盘 2021 年以来国内半导体光刻胶 标的股价走势两大要素影响较大：（1）半导体景气周期：光刻胶是半导体制作中的要害 耗材，商场需求会随半导体周期运转而发生动摇；（2）自主可控：其时我国半导体光刻 胶大部分依靠进口，国外厂商的供给状况对国内晶圆厂影响大。2021 年头海外光刻胶龙 头部分光刻胶产品断供&国家大基金对南大光电子公司持股，叠加半导体上行周期驱动 了 2021 年光刻胶标股价上行；2021 年下半年开端，跟着半导体上行周期逐步见顶，相 关标的股价逐步回落；2022 年末，周期见底预期+国家大基金增持驱动光刻胶标的走势 再次上行。

　　依据显现作用的不同，光刻胶可分为正性和负性光刻胶。正性光刻胶在特定光线照耀下 会发生反响并变成溶剂，曝光部分的光刻胶能够被铲除。负性光刻胶中聚合物的短链分 子因光照而交联成为长链分子，曝光部分会因而硬化留在基底上，未曝光的光刻胶被清 除。

　　因为负性光刻胶显影时易变形和胀大，分辨率一般只能到达 2 微米，因而正性光刻胶的 运用更为遍及。

　　依据曝光波长的不同，现在商场上运用较多的光刻胶可分为 G 线、I 线、KrF、ArF 和 EUV5 种类型。光刻胶波长越短，加工分辨率越高。为习惯集成电道路宽不断缩小的要 求，光刻胶波长也在不断缩短。g/i 线 时代，其时干流制程工艺 在 0.8-1.2μm，适用于波长 436nm 的光刻光源。到了 90 时代，制程前进到 0.35-0.5μm， 对应波长更短的 365nm 光源。当制程开展到 0.35μm 以下时，g/i 线光刻胶现已无法满意 制程工艺的需求，所以呈现了适用于 248 纳米波长光源的 KrF 光刻胶，和 193 纳米波长 光源的 ArF 光刻胶，两者均是深紫外光刻胶。EUV（极紫外光）是现在最先进的光刻胶 技能，适用波长为 13.5nm 的紫外光，可用于 7nm 以下的先进制程，现在仅有 ASML 集 团把握 EUV 光刻胶所对应的光刻机技能。

　　高阶制程的芯片并不只选用单一种类光刻胶作为首要资料；在晶圆上一般需求涂多层光 刻胶来完结芯片的电路设计，在部分区域的制程要求相对较低，为降低本钱，晶圆厂只 会在最重要的区域运用高端光刻胶如 EUV 或 ArF/ArFi 产品，其他部分则选用技能功用 要求相对较低的 g/i 线nm 制程为例，全球 28nm 光刻胶产品 中，适配 250-130nm 制程的 KrF 光刻胶占比到达了 31%。

　　（二）下流扩产&制程晋级驱动光刻胶商场生长，国产代替浪潮下国内增速高于全球

　　下流需求旺盛驱动半导体硅晶圆商场快速添加。5G、物联网、新动力轿车、人工智能 等新式范畴的高速生长奉献半导体商场新的需求添加点。据 SEMI 计算，2022 年全球硅 晶圆出货面积达 147.13 亿平方英寸，同比添加 3.9%，出售额达 138 亿美元，同比添加 9.5%，双双创前史新高。下流晶圆商场快速添加驱动下，半导体资料商场同步坚持高速 添加。依据 SEMI数据，2022 年全球半导体资料商场规划达 727 亿美元，同比添加 8.9%， 其间晶圆制作资料商场达 447 亿美元，同比添加 10.5%。

　　估计晶圆厂产能继续扩张。受半导体下流商场微弱需求驱动，SEMI 估计未来几年全球 产能将继续扩张，其间全球 200mm 晶圆产能在 2021-2025 年间将添加 20%，2025 年达 到每月 700 万片以上；300mm 晶圆产能估计在 2023 年扩张放缓后继续坚持高速添加， 于 2026 年到达每月 960 万片的前史新高。

　　大硅片占比前进&制程节点晋级，驱动单位面积晶圆所需光刻胶价值量前进。依据 SEMI 数据，2000 年以来在摩尔定律推动下，12 英寸硅片出货面积继续前进，2021 年市 场比例已大幅前进至 68.47%，成为半导体硅片商场的干流产品，估计到 2022 年商场份 额将挨近 70%。12 英寸芯片所用制程一般在 130nm 以下，且在继续向先进制程搬运。 别的依据 SUMCO 计算，逻辑芯片中 28nm 以下先进制程占比由 2012 年的缺乏 10%前进 至 2021年的 60%以上。跟着大硅片趋势&制程结构晋级，高端光刻胶的需求将会进一步 前进，带动单位面积晶圆耗费的光刻胶价值量不断上升。

　　先进制程工艺屡次曝光完结一次图形搬运，前进半导体光刻胶运用量。集成电路进入 14nm 及以下工艺，有些要害工艺图形“线(line)”和“距离(space)”都小到必定程度， “线(line)”和“线(line)”之间因为光线干与问题，会引起图形变形，然后导致产品良 率问题。在现阶段，为了尽可能运用低本钱的 193nm 浸没式曝光机，运用“光刻-刻蚀光刻-刻蚀(LELE)”方法曝光，如图 17 经过四次曝光方法完结一次图形搬运。这种方法 本钱低于选用 EUV 光刻机曝光，但因为曝光次数增多光刻胶运用量大幅添加。

　　量价齐升带动半导体光刻胶规划添加。光刻胶是半导体制作的要害资料，在晶圆产能持 续扩张、单位面积晶圆耗用光刻胶价值量不断上升的驱动下，全球半导体光刻胶商场有 望坚持稳健添加。依据 TECHCET数据，2021年全球光刻胶商场规划约为 21.4亿美元， 估计 2022 年将到达 23.0 亿美元，同比添加 7.5%，2026 年有望添加至 28.5 亿美金，2021~2026 5 年 CAGR 5.9%。

　　估计国内半导体光刻胶商场增速高于全球。依据 TrendBank 数据，2021 年国内半导体光 刻胶商场规划约 29 亿元，估计 2022 年将同比添加 35%到达 39.3 亿元。伴跟着第三次半 导体工业搬运，晶圆产能向大陆搬运，我国大陆区域在全球半导体资料商场占比同步提 升，估计未来国内半导体光刻胶商场将坚持高于全球商场的增速继续生长。

　　光刻胶工业链上游为原树脂、单体、感光剂、溶剂等光刻胶原资料；中游为依据配方的 光刻胶出产组成，下流首要为各芯片运用环节。因为光刻胶自身便是一种配方型的经历 学科，又高度影响光刻环节的精度和良率，因而在光刻胶工业链的三个环节都存在较高 壁垒。

　　光刻胶由树脂、光致产酸剂、溶剂和添加剂等混合而成。 树脂是光刻胶最中心的部分，是光刻胶的骨架。光刻胶树脂是一种慵懒聚合物，可 以将光刻胶中的不同资料聚合在一起，一起在光照下会与光敏资料发生反响，使光 刻胶在显影液中的溶解度发生改动。光刻胶树脂决议曝光后光刻胶的根本功用，如 能到达的线宽、胶膜厚度、耐刻蚀性、附着力等。

　　光敏资料是光刻胶成分中的光敏感化合物，是光刻胶的重要组成部分。半导体光 刻胶用光敏资料首要分为 PAG（光致产酸剂，简称光酸，Photo-Acid Generator）和 PAC（感光化合物，Photo-Active Compound）。PAG 在吸收光之后发生酸，因而被 称为“光酸”；在曝光后烘烤(PEB)进程中，这些酸会作为催化剂使树脂上悬挂的酸 不安稳基团掉落，然后改动树脂的碱溶解性；PAG 首要运用于在化学扩展型体光刻 胶中，包含 KrF、ArF、EUV 光刻胶。PAC 是重氮萘醌酯化合物，在光作用下从溶 解抑制剂转变为溶解促进剂，首要用于线性酚醛树脂体系光刻胶中，如 g 线/i 线光 刻胶。

　　溶剂首要用于将光刻胶的各组分涣散其间，使光刻胶具有杰出的流动性，现在半导 体光刻胶所用的溶剂首要是 PGEMA（丙二醇甲醚醋酸酯，即 PMA）。添加剂包含 活性剂、安稳剂等，用于操控和调理光刻胶的功用。

　　不同波长的半导体光刻胶组分存在较大差异。波长越短的光刻胶树脂含量越低，溶剂的 含量越高。G/I 线光刻胶中树脂的含量一般在 10-20%，KrF 光刻胶中为 7-10%，ArF、 EUV 光刻胶中树脂含量一般在 5%以下。

　　我国半导体光刻胶的上游中心原资料仍被国外厂商独占。半导体光刻胶树脂一般为电子 级树脂，现在我国半导体光刻胶树脂特别是高端产品，根本依靠进口。如 KrF 光刻胶所 用的聚对羟基苯乙烯类树脂，国内厂商较少供给出产该类树脂的单体，一起树脂自身的 组成工艺也具有较大难度；ArF 树脂定制化程度较高，世界商场上仅能买到部分规范款 树脂，无法买到高端的 ArF 树脂。别的，因为高端光酸的组成和纯化难度较大，国内的 光酸厂商在质量安稳性等方面仍与国外存在距离，现在国内首要的光刻胶公司大多仍是 运用进口的光酸。

　　除上游原资料壁垒外，半导体光刻胶国产化还具有配方、设备、客户验证等多重壁垒：

　　1）配方壁垒：配方是光刻胶的中心技能。各厂商的配方难以经过剖析商场上的制品来 获得。为完结与已有供给商产品的功用和参数的彻底匹配，光刻胶厂商首要需求对成百 上千个树脂、光酸和添加剂进行排列组合，其次还要不断对各成分的比例进行调整，以 完结和现有产品要害参数的彻底匹配，这需求满意的研制资源、经历堆集。

　　2）配套光刻机：光刻胶需求经过相应的光刻机进行测验和调整，现在世界光刻机龙头 厂商地点区域对我国施行技能封闭，国产光刻机产品较少，且技能水准与海外龙头有较 大距离，可供光刻胶厂商测验的资源较少。此外光刻机的置办和测验本钱昂扬，资金投 入要求极高。

　　3）量产安稳性：光刻胶的安稳性对下流晶圆厂极为重要。从实验室产品到量产，每批 次光刻胶产品间金属离子含量、分子量散布等都有必要完结安稳一起。这其间的难点，一 是原资料的安稳供给，尤其是关于 KrF、ArF 等高端种类，其所需的单体、树脂种类较 多，并且在世界商场中仅能购买到根底款，因而能否安稳获取质量合格的光刻胶树脂具 有较大难度。二是在扩很多产进程中金属离子的操控，因为存在环境操控作用不一样、 树脂后处理产品量不同、配胶时混合速度不一样且均匀度也不一样等问题，需求更高水 平的提纯技能和经历。

　　4）下流客户认证壁垒：因为光刻胶的质量会直接影响芯片功用、良率等，试错本钱高， 客户验证需求经过 PRS（根底工艺查核）、STR（小批量试产）、MSTR（中批量试产）、 RELEASE（量产）四个阶段，验证周期在两年以上；此外光刻胶厂商的原资料供给商 也有必要得到下流晶圆厂的认可，因而下流晶圆厂与光刻胶供给厂商的粘性较强，光刻胶 产品代替验证的时刻本钱极高。

　　半导体工业搬运与光刻机工业兴起，造就日本长时间以来的光刻胶霸主位置。1960s 前， 半导体工业最先在欧美等国家老练开展，一起也促成了半导体制作要害资料—光刻胶在 这些国家的昌盛；1995年前美国一向坚持着半导体光刻胶商场的龙头位置，特别是 IBM 在 1980s 前期就现已打破了 KrF 光刻胶。但因为其时商场的干流制程并非 KrF，IBM 的 KrF 光刻胶产品未能大规划量产。一起 1960s 起全球的半导体工业发生了由美国向日本 的榜首次搬运，如今的日本光刻胶龙头厂商开端逐步入局。光刻胶的前进需求光刻机的 配套，1986 年美国半导体商场滑坡，其光刻机研制也就此阻滞；而日本光刻机厂商在半 导体工业开展的支撑下继续追逐，1995 年东京应化成功打破了 KrF 光刻胶。虽然 IBM 早已研制成功 KrF 光刻胶，但此刻的光刻机主导位置已搬运至日本，东京应化完结了 KrF 光刻胶的商业化出售，并标志着日本逾越美国成为了光刻胶的龙头。在之后的第二 次、第三次半导体工业链搬运中，日本仍保留了光刻胶工业，并一向坚持龙头位置至今。

　　多家世界光刻胶厂商已完结 EUV 光刻胶量产。在光刻胶种类的量产进度上，日本东京 应化（TOK）、JSR、信越化学等厂商现已完结 EUV 光刻胶的量产。此外，2019 年日本 约束对韩国的 EUV 光刻胶出口后，韩国光刻胶厂商东进世美肯开端研制 EUV 光刻胶， 并在 2021 年经过了三星电子的可靠性认证；2022 年 12 月三星电子在其一条量产线上使 用了东进半导体的 EUV 光刻胶产品，标志着韩国也完结了 EUV 光刻胶的国产化量产突 破。

　　日美厂商独占半导体光刻胶商场。依据富士经济数据，2020年全球 KrF光刻胶商场中， 东京应化、信越化学、美国陶氏化学、JSR 别离占有了 31.4%、21.9%、10.9%、21%的 商场比例，CR4 达 85%；ArF 光刻胶商场则根本由日本厂商占有，前四大厂商 JSR、信 越化学、住友化学、东京应化别离占比 25%、21.8%、16.8%、15.8%，CR4 达 80%。 EUV 光刻胶商场首要由东京应化占有一半比例，其他商场由信越化学、JSR 等占有。

　　国内半导体光刻胶国产化率极低，供给不安稳性催化半导体光刻胶自主可控需求。现在 国内完结工业化的光刻胶出产企业首要集中于 PCB及面板范畴，半导体范畴特别是高端 种类仍需进口。依据前瞻工业研究院数据，现在从事半导体用光刻胶研制和工业化的企 业则多以 i 线、g 线年国内 G 线、I 线%， KrF 以上的高端光刻胶种类根本处于研制状况，国产化率仅为 1%。2021 年头，日本光 刻胶龙头信越化学工厂遭受地震产能受限，对国内部分晶圆厂限供/断供 KrF光刻胶，即 便其他国外厂商弥补了部分产能，但仍存在较大缺口。此外近年来全球地缘政治冲突加 剧，国内半导体工业关于要害资料自主可控的需求愈加急迫，国产光刻胶有望加快导入。

　　现在国内半导体光刻胶开展较快的公司包含彤程新材、华懋科技、晶瑞电材、上海新阳 等。分产品看：g/i线光刻胶：国内北京科华、徐州博康、姑苏瑞红已完结大规划量产， 已导入国内头部半导体企业，商场比例逐步前进。KrF 光刻胶：北京科华和徐州博康进 展较快，2022 年已有多个种类完结出售；此外姑苏瑞红及上海新阳也完结了量产打破。 ArF 光刻胶：南大光电推出国内经过客户验证的榜首只国产 ArF 光刻胶，并完结少数销 售，华懋科技、上海新阳也有相关产品进行测验导入。EUV 光刻胶：其时国内并无EUV 光刻机，各厂商 EUV 光刻胶尚处于理论研究阶段。

　　轿车被迫安全事务把握中心技能+优质客户深筑护城河，战略布局光刻胶事务翻开新成 长空间。公司自 2002 年景立起即深耕于轿车被迫安全范畴，2021 年战略入股国内光刻 胶抢先企业徐州博康入局光刻胶。公司轿车产品线掩盖轿车安全气囊布、安全气囊袋以 及安全带等被迫安全体系部件。近年来跟着国民轿车安全意识前进和相关法规完善、新 动力轿车快速浸透，轿车品牌更为重视安全装备晋级，带动轿车安全气囊需求大幅添加。 安全气囊出产技能要求高、认证周期长，进入壁垒及商场集中度较高，公司经多年堆集 已成为国内安全气囊布和安全气囊袋的首要供给商，市占率超 35%；旺盛需求下公司业 绩完结快速添加：2022 年完结营收 16.37 亿元，同比+35.75%，其间高端产品 OPW 气囊 袋增速达 94.38%，来自新动力轿车首要主机厂的收入增速达 225.81%。

　　携手国内光刻胶抢先企业布局光刻资料，完结光刻胶全工业链自主可控。公司战略入股 徐州博康，并与徐州博康一起树立东阳华芯布局光刻资料范畴。徐州博康成立于 2010 年，专心于光刻胶原资料到制品的自主研制及出产，完结了从光刻胶单体、光刻胶专用 树脂、光酸剂及终产品光刻胶的国产化自主可控供给链，是国家 02 严重专项之“先进光 刻胶产品开发与工业化”项目中课题“ArF 光刻胶单体产品的开发与工业化”承当单位。截 至 2023 年 3 月末，徐州博康及其子公司具有发明专利 60 多项，其光刻胶单体现已是日 韩闻名光刻胶制品公司安稳供给商，研制、出产的光刻胶产品首要包含：ArF 光刻胶 26 款，包含 65nm、55nm、40nm、28nm 及以下的要害层工艺以及 LOGIC、3D NAND、 DRAM 等运用范畴；KrF 光刻胶 30 款，包含 55nm、40nm、28nm 及以下的要害层工艺 以及集成电路、分立器材、传感器等运用范畴；I line 光刻胶 15 款，包含高能注入、抗 刻蚀等要害层工艺以及 PAD、Lift-off等运用范畴。现在徐州博康光刻胶产品现已完结向 部分国频芯片 IDM 厂商及科研院所量产供货，有多款高端光刻胶产品获得国内 12 寸晶圆厂的相关订单。

　　全球最大轮胎用特种资料供给商，半导体&面板光刻胶协同开展。公司事务包含电子材 料、轿车/轮胎用特种资料和全生物降解资料三大范畴。公司是全球最大的轮胎橡胶用 特种酚醛树脂供给商，多年开展与国表里轮胎企业树立了长时间安稳的事务协作，客户覆 盖全球轮胎 75 强，包含普利司通、米其林、固特异、马牌、倍耐力等世界闻名轮胎企 业。公司电子资料事务首要包含半导体光刻胶及配套试剂、显现面板光刻胶和电子酚醛 树脂等产品；2020 年公司战略收买半导体光刻胶龙头厂商北京科华和国内首家 TFTLCD Array 光刻胶出产商北旭电子，一起充分发挥协同效应反溯中心原资料的开发，加 快公司电子酚醛树脂在光刻胶范畴的开发及导入，成为国内光刻胶出产范畴的龙头企业。

　　国内半导体光刻胶龙头出产商，产品功用抢先完结成绩高增。公司半导体光刻胶产种类 类已包含国内 14nm 以上大部分工艺需求：公司 G 线光刻胶产品在国内占有较大商场份 额，I 线光刻胶产品已挨近世界先进水平；公司是国内仅有可很多供货 KrF 光刻胶的生 产商，KrF 产品在 Poly、AA、Metal、TM/TV、Thick、Implant、Contact Hole 等工艺的 市占率继续攀升，且 DKN 系列 KrF 负性光刻胶获得量产打破，产品功用到达或超越国 外同类产品。2022 年公司半导体光刻胶事务完结经营收入 1.77 亿元，同比添加 53.48%； 半导体用 G/I 线光刻胶产品较上年同期添加 45.45%；KrF 光刻胶产品较上年同期添加 321.85%。公司出产的 I 线光刻胶和 KrF 光刻胶是国内 8-12 寸集成电路产线首要的本乡 供给商，跟着半导体光刻胶国产代替加快，公司光刻胶事务有望迎来快速添加。

　　国内最大液晶正性光刻胶本乡供给商。2022 年北旭电子完结出售收入 2.42 亿元，国内 市占率约为 19%，是国内本乡榜首大供给商，其间北旭产品在国内最大面板客户京东方 占有率约 45%以上。公司新品 4-Mask 高感度光刻胶产品满意 Array 工艺一切 Layer 适用， 打破了原有产品不能适用 Halftone 的瓶颈，新客户和量产出售正在不断扩展；别的针对 AMOLED 面板，公司开发的高功用的高分辨率光刻胶也已在客户端完结阶段性批量验 证，各项功用可彻底匹配现有国外品牌产品，一起能完结较好的产品良率，正逐步完结 量产。跟着公司潜江工厂产能不断开释和国内面板其它头部客户逐步导入测验作业，公 司市占率有望进一步快速前进。

　　布局泛半导体资料及新动力资料两大方向，多产品线）泛半导体材 料：包含高纯化学品、光刻胶及配套资料、医药中间体等，其间在半导体用量最大的三 个高纯湿化学品——高纯双氧水、氨水及纯硫酸方面，公司产质量量已到达 SEMI 最高 等级 G5 水准，获得中芯世界、华虹宏力、长江存储、士兰微等国内闻名半导体客户的 收购，成功添补半导体要害资料的国内空白。2）新动力资料：包含锂电池资料 NMP、 锂电池粘结剂、电解液等。NMP 是锂电池不可或缺的溶剂资料，占锂电池制作本钱比 重一般可达 3%-6%。公司 NMP 产品现已过多项世界认证，是我国区仅有经过韩国三星 集团SDI公司认证合格的产品。跟着新动力车产值继续添加，NMP商场空间宽广，依据 EVTank、高工锂电（GGII）等数据，2025 年全球锂电池 NMP 需求量约为 376 万吨，4 年 CAGR41%。2023 年 3 月公司拟增发征集 7.5 亿元扩展 NMP 等资料产能，以进一步抓 住职业开展机会，扩展各电子资料产品类别商场比例。

　　三十年光刻胶量产经历，国内 I 线光刻胶最大厂商之一。公司光刻胶产品由子公司姑苏 瑞红出产，姑苏瑞红自 1993 年开端规划化出产光刻胶，是国内罕见的既有规划又有利 润的老练光刻胶企业，其产品首要运用于半导体及显现面板范畴，部分产品已占有国内 首要商场比例：公司紫外负型光刻胶和宽谱正胶及部分 G 线等高端产品已规划供给商场 数十年；i 线光刻胶已向国内里芯世界、合肥长鑫等闻名大尺度半导体厂商供货，为我 国供给半导体光刻胶出货量最大的本乡企业之一；KrF 高端光刻胶部分种类已量产；同 时已发动 ArF 高端光刻胶研制作业。近年来公司继续加大顶级光刻胶研制投入，斥资数 亿购入 2 台 ArF、KrF 光刻机及相关配套设备，牵头主张相关种类技能攻关及工业化项 目；跟着产品序列逐步完善，公司光刻胶事务远景可期。

　　4、上海新阳：电镀、清洗、光刻、研磨四大工艺资料布局，光刻胶事务开展顺畅

　　电镀、清洗技能国内抢先，蚀刻液新品打破国外独占。公司成立于 2004 年，多年开展 构成两大类事务：1）半导体资料：掩盖电镀、清洗、光刻、研磨四大工艺化学资料产 品；首要产品包含电镀液及添加剂、清洗液、光刻胶、封装资料及配套设备产品。公司 电镀和清洗两大中心技能已到达国内抢先水平，电镀液及添加剂产品已掩盖 90-14nm 技 术节点；干法蚀刻后清洗液现已完结 14nm 以上技能节点全掩盖，20-14nm 电镀液及添 加剂已完结出售；用于存储器芯片的原创新产品氮化硅蚀刻液打破国外独占，并与客户 一起开发、验证更高层级的产品系列；用于铜抛光后清洗液（PCMP）产品开发完结， 已进入到客户端；公司布局开发的研磨液（CMP）也已有老练产品成功进入客户端完结 出售。2）环保功用性氟碳涂料：由子公司江苏考普乐出产，公司开发的喷涂型 PVDF 氟碳涂料国内商场占有率在 15%左右，位居全国前三。2022年公司谋划将考普乐挂牌新 三板，以进一步前进子公司中心竞争力，完善公司管理结构及推动上市公司全体战略目 标落地。 光刻胶继续打破，ArF 光刻胶开展顺畅。2022年公司自主研制的 KrF 光刻胶产品经过认 证客户不断添加，已在国内干流晶圆制作厂商处完结供货；ArF、ArF-i 光刻胶方面研制 开展顺畅，现已构成两个系列实验产品，样品已进入客户端进行测验；且公司自购 ASML1900、1400 光刻机用于光刻胶产品测验。具有完好自主可控知识产权的光刻胶产 品与运用行将构成公司的第三大中心技能，未来开展远景可期。

　　高纯电子资料领军企业，多产品线发力完结成绩高增。公司布局先进前驱体资料产品、 电子特气类产品和光刻胶及配套资料三大板块，产品广泛运用于集成电路、平板显现、 LED、第三代半导体、光伏和半导体激光器的出产制作。先进前驱体板块包含 MO 源产 品及 ALD/CVD 前驱体资料；电子特气板块首要包含氢类电子特气磷烷、砷烷等及含氟 电子特气三氟化氮、六氟化硫及其副产品；光刻胶及配套资料方面公司正在自主研制和 完结 ArF 光刻胶（含干式及浸没式）工业化。2022 年公司前驱体产品客户导入提速，市 场比例逐步扩展，成为公司新的成绩添加点；出售、赢利主力氢类特气产品产能建造加 快、规划经济效益凸显；推动公司完结成绩新打破：营收 15.8 亿元，同比+60.62%；归 母净赢利 1.87 亿元，同比+37.07%；扣非净赢利 1.26 亿元，同比+78.39%。

　　ArF 光刻胶工业化继续推动中。2017 及 2018 年公司别离获得国家 02 专项“高分辨率光 刻胶与先进封装光刻胶产品要害技能研制项目”和“先进光刻胶开发和工业化项目”的正 式立项，并别离于 2020 年和 2021 年经过检验。公司研制的产品成为国内经过客户验证 的榜首只国产ArF光刻胶，标志着国产先进光刻胶工业化获得要害性的打破。现在公司 产品已在下流客户存储芯片 50nm和逻辑芯片 55nm技能节点的产品上经过认证，一起多 款产品正在多家客户进行认证，ArF 光刻胶及配套资料项目所需的光刻车间和出产线已 建成，其间首要先进光刻设备如 ASML 浸没式光刻机现已完结装置并投入运用，搭建了 专业用于 ArF 光刻胶产品开发的检测评价渠道，光刻胶及配套资料产品的研制、验证和 工业化继续推动中。此外公司光刻胶技能研制一直坚持彻底自主化道路，光刻胶研制中 心具有了研制功用单体、功用树脂、光敏剂等光刻胶资料的才能，能够完结从光刻胶原 资料到光刻胶产品及配套资料的悉数自主化。

　　努力推动前驱体资料国产打破，募资助力成绩宽广生长空间。2022 年 11 月公司发行可 转债 9 亿元用于先进制程前驱体产品工业化及电子特气产品扩产。1）先进制程用前驱 体：作为半导体制作的中心资料之一，先进制程开展对半导体前驱体资料提出更高要求， 并推动其商场需求不断添加。依据日本富士经济数据，估计 2024 年全球半导体前驱体 商场规划将由 2019 年的 12 亿美元添加至 20.21 亿美元，年复合增速达 11%；其时我国 先进制程半导体前驱体资料商场仍由国外企业占有，具有巨大的国产代替空间。本次募 投项目施行结束后，南大光电将建成 4 种半导体先进制程用前驱体产品出产线，完结国 产先进制程前驱体资料进口代替。2）氢类电子特气及三氟化氮：公司氢类电子特气自 推出后有用打破国外长时间独占，在技能、质量、产能和出售各方面已跃居世界前列；三 氟化氮产品是公司现在南大光电收入奉献占比最多的产品类别，具有较高的毛利水平， 仍处于求过于供状况。本次扩产晋级将利于公司进一步扩展事务规划、前进职业竞争力、 稳固电子特气事务抢先位置。

　　6、雅克科技：全球前驱体&LNG 板材头部厂商，面板&半导体光刻胶逐步推动

　　公司是全球前驱体抢先厂商，国内独家 LNG 板材厂。公司主营电子资料、LNG 保温绝 热板材、阻燃剂三大板块。其间电子资料事务包含半导体前驱体资料/SOD、光刻胶及 配套试剂、电子特气、硅微粉及 LDS 运送体系等。公司是全球前五大前驱体供给商之 一，产品在 DRAM 能够满意全球最先进存储芯片制程 1b、200X 层以上 NAND、逻辑芯 片 3 纳米的量产供给，客户包含镁光、铠侠、Intel、台积电、中芯世界、华虹宏力、长 江存储与合肥长鑫等国表里半导体芯片头部出产商。LNG 船保温绝热资料用于-162℃超 低温条件，是确保液化气储运安全性和经济性的中心技能之一，现在全球仅 3 家公司在 出产 LNG 保温板材，其间 2 家在韩国。公司是现在国内仅有一家经过 GTT 和船级社认证的 LNG 保温绝热板材供给商。23 年国内新增 LNG 船大规划放量，公司第二工厂建造 有续推动估计 2023 年末投产，LNG 板材事务空间宽广。

　　开辟高端显现光刻胶，半导体光刻胶继续推动。公司的光刻胶产品首要包含面板用正性 TFT 光刻胶、RGB 五颜六色光刻胶、CNT 防静电资料以及光刻胶配套试剂。据势银 （TrendBank）计算，2022 年我国大陆 LCD 光刻胶商场规划约 97 亿元，国产化率约 18.56%，估计跟着面板逐步康复添加及工业链向我国大陆搬运，国内面板光刻胶厂商将 迎快速添加。公司已与三星电子、LG Display、京东方、华星光电、惠科等闻名面板供 应商树立协作关系；并继续开辟高端产品，2022 年公司自行研制的 OLED 用低温 RGB 光刻胶、CNT 防静电资料现已正式量产，CMOS 传感器用 RGB 光刻胶、先进封装 RDL 层用 I-Line 光刻胶等高端产品进行客户测验导入阶段。此外，公司新增布局半导体光刻 胶范畴，半导体制程光刻胶及SOC资料研制作业正在按计划推动中，并有产品进入测验 导入阶段。

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