近来英特尔在比利时安特卫普举办的ITF World 2023上，概述了几个要害范畴的最新开展，其中之一就是英特尔未来将选用的堆叠式CFET晶体管架构。作为现阶段半导体制作技能的龙头，台积电（TSMC）也在2023欧洲技能研讨会活动中，介绍了其未来的GAAFET及CFET晶体管技能。

　　据AnanadTech报导，台积电泄漏其CFET晶体管现已进入到实验室，正在进行功能、功率和密度的测验，与GAAFET比较，这几方面都会更有优势。不过CFET需求一些额定的制作过程，才能使芯片按预期平等。CFET晶体管将n和p两种MOS器材彼此堆叠在一起，需求运用高精度和高功率的High-NA EUV光刻机来制作。

　　台积电正在研讨各种晶体管规划类型，这些研讨项目需求很长冷清，而CFET技能或许是未来最有或许的候选之一，不过现阶段不能说现已逾越Nanosheet，并且CFET晶体管需求将新材料整合到制作过程中，然后导致对应的制程节点需求更大的出资。仅有必定的是，台积电在2nm工艺起会引进GAAFET晶体管技能。

　　台积电运用FinFET晶体管现已有十年了，期间阅历了五代工艺，正常来说GAAFET晶体管应该也会运用几代产品，至于CFET晶体管间隔大规模量产依然很悠远。