5月24日音讯，近来在比利时安特卫普举办的 ITF World 2023大会上，英特尔技能开发总经理 Ann Kelleher 介绍了几个要害范畴最新技能开展，其中就包含了英特尔将选用堆叠式 CFET 晶体管架构，这也是英特尔初次揭露介绍新的晶体管规划，但并未提及详细的量产时间表。

　　新技能提高晶体管开关速度，占用空间更少，能够达到与FinFET结构相同驱动电流水准。Ann Kelleher 表明，RibbonFET 将在 2024 年量产。

　　英特尔还展现下一代 GAA 堆叠式 CFET 晶体管架构，将答应堆叠8个纳米片，是 RibbonFET 的4个纳米片的两倍，将进一步提高晶体管密度。

　　CFET 电晶体将 n 和 p 两种 MOS 元件堆叠在一起，以达到更高的密度。英特尔正在研讨两种 CFET晶体管，也便是单片式和次序式，但未确认最终选用哪种 CFET晶体管，或还有其他类规划呈现。

　　英特尔表明，凭仗CFET晶体管技能，2032年将有望进化到5埃米（0.5nm），2036年将有望完成2埃米（0.2nm），CFET晶体管架构类型还会发生变化，也是不可避免的。

　　不过，英特尔仅仅概述电晶体技能大约开展蓝图，并没有共享太多细节，未来应该还会连续揭露更多信息发布。