石墨烯晶体管与 3D 晶体管迈向更先进的半导体器材

　　第三代半导体资料，指带隙宽度显着大于 Si（1.1 eV）和 GaAs（1.4 eV） 的宽禁带半导体资料，首要包含Ⅲ族氮化物（如 GaN、AlN 等）、碳化硅（SiC）、氧化物（如 ZnO、Ga2O3 等）半导体和金刚石等宽禁带半导体。当时具有产业化条件的以SiC 和 GaN 为主，AlN、ZnO、Ga2O3 、金刚石等宽禁带半导体大多处于实验室研讨阶段，产业化需要时日。

　　第三代半导体资料功能愈加优异。相对于 Si、GaAs 和 InP，第三代半导体资料具有高击穿电场强度、高热导率、高电子饱满率、高漂移速率以及高抗辐射才能等优胜功能，这些优胜功能有望大幅下降设备的损耗和体积/分量，因此第三代半导体资料在高功率、高频率、高电压、高温度、高光效等条件方面具有难以比较的优势和宽广的使用远景。