IBM 和韩国三星电子于当地时间 12 月 14 日宣告了新结构晶体管“VTFET（笔直传输场效应晶体管）”。VTFET 是与美国纽约奥尔巴尼纳米技术中心的两家公司合作开发的。

　　半导体中，晶体管是横向摆放，电流横向活动，但在 VTFET 中，晶体管是纵向构成的，电流也纵向活动。选用这样的结构，与现在干流的小型化FinFET（Fin Field-Effect Transistor）比较，有望完成两倍的功能或下降85%的功耗。跟着VTFET的完成，两家公司都将完成一款无需充电即可继续运转一周以上的智能手机，而且能够以更少的电力进行加密钱银发掘和数据加密等杂乱处理，并削减二氧化碳排放。 . 此外，能够以更低的功率操作在 IoT（物联网）结尾运转的设备。IBM和韩国三星电子于当地时间 12 月 14 日宣告了新结构晶体管“VTFET（笔直传输场效应晶体管）”。VTFET 是与美国纽约奥尔巴尼纳米技术中心的两家公司合作开发的。